缺陷检查与评审

缺陷检查与评审

KLA的缺陷检查和审查系统涵盖了芯片和晶圆制造环境中的全系列产量应用,包括传入过程工具资格,晶圆资格,研发以及工具,过程和线路监控。图案化和未绘图的晶圆缺陷检查和审查系统发现,识别和分类颗粒和晶片的前表面和边缘上的粒子和图案缺陷。此信息允许工程师检测,解决和监控关键产量偏移,从而产生更快的产量坡道和更高的产量。

ESL10™

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ESL10™

电子束图案化晶片缺陷检测系统

The eSL10™ electron-beam (e-beam) patterned wafer defect inspection system leverages the industry’s highest landing energy and high resolution to capture small physical and high aspect ratio defects, supporting process development and production monitoring for advanced logic, DRAM and 3D NAND devices. With an innovative electron optics design, the eSL10™ produces high beam current density at a small spot size and the industry’s widest range of operating conditions for defect capture across an array of challenging process layers and device structures. Revolutionary Yellowstone™ scanning mode supports high speed operation without compromising resolution, for efficient investigation of suspected hotspots or defect discovery within a broad chip area. Industry-unique Simul-6™ technology provides surface, topographic, material contrast and deep trench information in a single scan, reducing the time required to collect complete information on a variety of defect types. With integrated Artificial Intelligence (AI), the eSL10 employs deep learning algorithms that discriminate key DOIs from pattern and process noise, enabling capture and classification of critical defects during R&D and ramp.

应用程序
高分辨率缺陷捕获,缺陷发现,研发过程调试,工程分析,斜坡和线路监控
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eDR7xxx™:电子束晶圆缺陷综述和分类系统≤10nm设计节点IC开发和生产。EDR7XXX™为KLA检查员提供独特的联系,以便在IC和晶圆制造期间更快地获得。

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39xx.

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39xx.

超分辨率宽带等离子体图形化晶圆缺陷检测系统

392X系列宽带等离子缺陷检测系统支持晶圆级缺陷发现,产量学习和内联监控≤7nm逻辑和前沿存储器设计节点。光源技术,产生超分辨率深度紫外(SR-DUV)波长带和传感器创新,3920和3925提供了高灵敏度捕获的独特缺陷类型。392X系列还利用先进的设计感知算法,Pixel•Point™和Nano•Cell™,以捕获和垃圾缺陷在产量关键模式位置。通过支持内联监测要求的吞吐量,392x系列对具有速度的灵敏度,使得在Light™的速度下能够进行发现,以减少提供晶片级数据所需的时间,以便在开发和高批量制造期间完成过程问题的完整表征。

应用程序
缺陷发现,热点发现,过程调试,EUV打印检查,工程分析,线路监控,过程窗口发现
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3900和3905:光宽带等离子体晶片缺陷检查器,可在10nm和以下逻辑和高级存储器设备上提供产量关键缺陷捕获。

29日xx系列:光纤宽带等离子体晶片缺陷检查器,其补充了39xx系列的检查性能,以便在一系列设计节点和设备类型上进行缺陷发现。

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29xx.

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29xx.

宽带等离子体图形化晶圆缺陷检测系统

295x系列宽带等离子体缺陷检查系统提供了光学缺陷检查的进步,从而发现≤7nm逻辑和前沿存储器设计节点的产生临界缺陷。使用增强型宽带等离子体照明技术,以及新像素•Point™和Nano•Cell™设计感知技术,2950和2955宽带等离子缺陷检查器提供了在一系列过程层,材料类型和材料类型中捕获关键缺陷所需的灵敏度。过程堆栈。作为内联监测的行业标准,295X系列对具有光学晶片缺陷检测速度的灵敏度,使能速度的发现™ - 以最佳所有权成本的快速缺陷发现和完整表征缺陷问题的结合。

应用程序
缺陷发现,热点发现,过程调试,工程分析,线路监控,流程窗口发现
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39 xx系列:光宽带等离子体晶圆缺陷检查器具有超级分辨率深紫外线(SR-DUV)波长带,其补充了29xx系列的检查性能,用于≤10nm设计节点设备上的缺陷发现。

2930和2935:光宽带等离子体晶片缺陷检查器,可在10nm和以下逻辑和高级存储器设备上提供产量关键缺陷捕获。

2920年和2925年:光学宽带等离子体晶片缺陷检测仪,在16nm及以下的存储器和逻辑器件上提供关键产量缺陷捕获。

2910和2915:在2X/1Xnm存储器和逻辑器件上提供与成品率相关的缺陷捕获的光学宽带等离子体晶圆缺陷检测仪。

2900和2905:光宽带等离子体晶片缺陷检查器,可在2xNM存储器和逻辑器件上提供捕获的收益相关缺陷。

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C205.

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C205.

宽带等离子体图案晶圆缺陷检测系统

C205宽带等离子体光学缺陷检测系统可用于汽车、物联网、5G和消费电子市场芯片制造的系统性缺陷发现和潜在可靠性缺陷检测。C205利用可调谐宽带光源、先进的光学和低噪声传感器捕捉系统缺陷,帮助加速新工艺、设计节点和设备的表征和优化。NanoPoint技术侧重于可靠性失败风险高风险的模式区域,提供可操作的缺陷数据,有助于减少模具矫枉过正。在生产中,C205监控需要高灵敏度的关键层,帮助Fabs避免了影响最终芯片质量的缺陷偏移。C205是一个延伸,可配置的平台,支撑200mm和300mm晶片尺寸。

单击此处下载C205产品手册。

应用程序

缺陷发现,热点发现,过程调试,工程分析,线路监控,流程窗口发现

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39 xx系列:光宽带等离子体晶圆缺陷检查器具有超级分辨率深紫外线(SR-DUV)波长带,其补充了29xx系列的检查性能,用于≤10nm设计节点设备上的缺陷发现。

29日xx系列:光学宽带等离子体晶圆缺陷检测仪,可捕获从5nm - 2Xnm范围的逻辑器件和高级存储器件的良率和可靠性相关缺陷。

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航行员®

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航行员®

激光扫描图案晶圆缺陷检测系统

旅行者号®1015激光扫描检测系统支持生产斜坡缺陷监测,专门用于浸没(193i)和EUV光刻的开发后的检查(ADI),当晶片仍然可以重新加工时。DUV激光器,新光学设计和最大的收集实线角度产生了在高级设计节点的ADI中发现的紧张间距所需的缺陷灵敏度。自定义传感器和可切换激光器能够检查精致的光致抗蚀剂材料,而倾斜照明和先进的算法抑制了ADI检查所固有的噪声源,以获取更多相关结果。Voyager 1015提供高吞吐量捕获Litho电池中的关键缺陷和Fab的其他模块,允许迅速识别和整理过程问题。

应用程序
线路监视器,工具监控,工具资格,193i和EUV抵制资格
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8系列

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8系列

高生产率图案晶圆广场检测系统

8系列图案化晶圆检测系统以非常高的吞吐量检测各种缺陷类型,以便快速识别和解决生产过程问题。8系列通过初始产品开发通过体积生产,提供了150mm,200mm或300mm硅和非硅基板的经济高效的缺陷监测。最新一代8935个检查员采用新的光学技术和设计和FlexPoint.精确的区域检测技术,捕捉可能导致芯片失效的关键缺陷。DefectWise®AI技术能够快速,内联的缺陷类型分离,以改善缺陷发现和融合。通过这些创新,8935支持以低滋扰率的产量和可靠性相关缺陷的高生产率捕获,帮助前沿和遗留节点FAB可靠地且以较低的成本加速其产品。金博宝188亚洲体育app

想了解更多关于I-PAT的信息®自动化,内联模筛筛选解决方案8系列?点击这里

应用程序

过程监控,工具监控,出货质量控制(OQC)

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CIRCL:8系列检测技术也可作为CIRCL缺陷检测,计量和审查集群工具的模块提供,专为前侧,背面和边缘的全表面晶圆测量而设计。

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彪马

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彪马

激光扫描图案晶圆缺陷检测系统

美洲狮9980激光扫描检测系统采用多种灵敏度和速度增强功能,可在1xNM高级逻辑和高级DRAM和3D NAND内存设备中捕获高批量生产所需的吞吐量(DOI)的缺陷。PUMA 9980通过增强先进图案化层上的缺陷类型捕获,提供了高级晶圆缺陷检测和审查工具的一部分,提供了生产斜坡监测的最高吞吐量解决方案。PUMA 9980采用NanoPoint™设计感知能力,通过提高缺陷敏感性,提高系统滋扰排放并收紧缺陷坐标精度,产生更可操作的检查。

想了解更多关于I-PAT的信息®自动化,内联模具筛选解决方案PUMA 9980和PUMA 9850?点击这里

应用程序
生产线监控,工具监控,工具鉴定
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彪马9850:为2X/1Xnm存储器和逻辑器件提供所有模区高灵敏度偏移监测。

PUMA 9650:为≤28nm内存和逻辑器件提供所有芯片区域的高性能偏移监测。

彪马9500:为≤32NM内存和逻辑设备提供高性能偏移监控。

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circl™

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circl™

全面晶圆缺陷检查,计量和审查集群系统

CIRCL™集群工具有四个模块,覆盖所有晶圆表面,并以高吞吐量提供并行数据收集,以有效的过程控制。最新一代CIRCL5系统的模块包括:晶片前端缺陷检测;薄片边缘缺陷的检验、轮廓、计量及审核;背面晶片缺陷检查与评审;以及正面缺陷的光学回顾和分类。数据收集由DirectedSampling™控制,这是一种创新方法,使用一次测量的结果来触发集群内其他类型的测量。CIRCL5的模块化配置为不同的过程控制需求提供了灵活性,节省了整体晶圆空间,减少了晶圆排队时间,并提供了一个具有成本效益的升级路径,以保护晶圆的资本投资。

应用程序
过程监控,出货质量控制(OQC),工具监控,背面监控,边缘良率监控
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冲浪士®

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冲浪士®

未染色的晶圆缺陷检测系统

的Surfscan®SP7.XP未绘图的晶圆检测系统识别影响前沿逻辑和内存设备性能和可靠性的缺陷和表面质量问题。它通过合格和监测工具,工艺和材料,包括用于EUV光刻的工具,工艺和材料,支持IC,OEM,材料和基板制造。使用DUV激光和优化的检查模式,SurfScan SP7XP为高级节点R&D提供最终灵敏度以及支持高卷制造的吞吐量。互补检测模式,包括相位对比通道(PCC)和正常照明(Ni),检测裸晶片,光滑粗薄膜的独特缺陷类型,易碎抗蚀剂和Litho堆叠。基于图像的缺陷分类(IBC)使用革命性机器学习算法支持更快的时间来根本原因,而Z7分类引擎支持独特的3D NAND和厚膜应用。

点击这里下载surfscan sp7XP宣传册。

应用程序
工艺确认,刀具确认,刀具监控,出片质量控制,进片质量控制,uv抗蚀和扫描仪确认,工艺调试
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surfserver配方管理系统促进兼容冲浪系统之间的配方可移植性,帮助在FABS中简化舰队管理。

Surfscan SP7:无污染晶片表面检测系统,具有DUV灵敏度和IC,基板和设备制造的高吞吐量在SUB 1XNM设计节点。

Surfscan SP5XP未染色的晶片表面检测系统,具有DUV灵敏度和IC,基板和设备制造的高吞吐量在1XNM设计节点。

Surfscan SP5:无模式晶圆表面检测系统,具有DUV灵敏度和高吞吐量,适用于2X/1Xnm设计节点的IC、基片和设备制造。

Surfscan SP3:未染色的晶圆检测系统,具有DUV敏感性和IC,基板和设备制造的高吞吐量,在2XNM设计节点上。

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冲浪士®SP斧头

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冲浪士®SP斧头

未染色的晶圆缺陷检查系统

的Surfscan®SP A2和Surfscan®SP A3未绘图的晶圆检测系统识别影响为汽车,物联网,5G,消费电子产品和工业(军事,航空航天,医疗)应用而制造的芯片性能和可靠性的缺陷和晶圆表面质量问题。这些检测系统通过合格和监控工具,工艺和材料支持IC,OEM,材料和基板制造。使用DUV激光和优化的检查模式,SurfScan SP AX系统提供支持Fabs缺陷减少策略所需的灵敏度。标准Darkfield和可选的BrightField检测模式同时运行,从而实现捕获和分类,收益率临界和潜在可靠性缺陷类型。Surfscan SP A2 / A3检查器建立在业界领先的冲浪平台上,支持150mm,200mm和300mm晶片,可配置灵活,以满足一系列应用程序的成本和性能目标。

单击此处下载Surfscan SP3 / AX手册。

应用程序

流程资格,刀具认证,工具监控,传出晶圆质量控制,传入晶圆质量控制,过程调试

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surfserver配方管理系统促进兼容冲浪系统之间的配方可移植性,帮助在FABS中简化舰队管理。

Surfscan SP7.XP未染色的晶片表面检查系统,具有DUV灵敏度和IC,基板和设备制造的高吞吐量在第5NM设计节点上。

Surfscan SP7:无污染晶片表面检测系统,具有DUV灵敏度和IC,基板和设备制造的高吞吐量在SUB 1XNM设计节点。

Surfscan SP5XP未染色的晶片表面检测系统,具有DUV灵敏度和IC,基板和设备制造的高吞吐量在1XNM设计节点。

Surfscan SP5:无模式晶圆表面检测系统,具有DUV灵敏度和高吞吐量,适用于2X/1Xnm设计节点的IC、基片和设备制造。

Surfscan SP3:未染色的晶圆检测系统,具有DUV敏感性和IC,基板和设备制造的高吞吐量,在2XNM设计节点上。

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电子束晶圆缺陷审查和分类系统

EDR7380™电子束(E-Beam)晶片缺陷综述和晶片分类系统捕获了高分辨率的缺陷图像,在晶片上产生了精确表示缺陷群。通过各种电子光学和专用的镜头检测器,EDR7380支持跨处理步骤的缺陷可视化,包括易碎EUV光刻层,高纵横比沟槽层和电压对比层。独特的Simul-6™技术在一次测试中产生完整的DOI帕司孔,以精确缺陷采购和更快的偏移检测。通过连接功能,例如宽带光学图案晶圆检查器和OptiSens™的IAS™,EDR7380为KLA检查员提供独特的联系,以便在IC和晶圆制造期间更快地获得。

应用程序
缺陷成像,自动内联缺陷分类和性能管理,裸晶圆输出和传入质量控制,晶圆处,热点发现,缺陷发现,euv打印检查,过程窗口发现,过程窗口资格,斜面边缘评论。
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EDR7280:基于第五代电子束浸没光学技术的电子束晶片缺陷评审与分类系统,用于≤16nm设计节点集成电路的开发与生产。

edr.®是KLA公司的注册商标。188金宝搏网站怎么进不了

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